办公室:国量院306

研究方向: 量子输运、超导量子器件、拓扑材料

办公室:国量院519

研究方向: 分子束外延（MBE）技术、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制备

办公室:国量院427

研究方向: 电子束曝光机及相关工艺研发

办公室:国量院427

研究方向: 量子器件与芯片微纳加工工艺

办公室:国量院427

研究方向: 微纳光刻及相关工艺研发

办公室:国量院714

研究方向: 1. 重费米子和量子磁阻挫材料的单晶制备与表征（主要是稀土化合物及磁阻挫材料的单晶制备和磁性研究）； 2. 二维磁性材料的单晶合成与表征（主要是过渡金属的范德瓦尔斯材料）； 3. 新型量子材料的探索及低温量子临界行为的研究。