一、个人简介

本人目前的工作内容主要围绕Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（如GaAs、AlGaAs等）外延片的综合检测与后端工艺优化展开。在检测环节，采用霍尔效应测试——载流子浓度、迁移率、光致发光（PL）光谱分析——带隙与缺陷态表征、扫描电子显微镜（SEM）及能谱仪（EDS）——微观形貌与成分分析、原子力显微镜（AFM）——表面粗糙度测量等多维度检测手段，系统评估材料电学、光学及表面特性，确保外延片质量符合器件设计要求。在后端工艺中，针对晶圆键合工艺、刻蚀、晶圆剪薄等环节，通过参数调优与工艺标准化，降低缺陷率并提升器件可靠性。

二、教育背景

2020.09-2023.06    深圳大学 物理学 硕士

2016.09-2020.07    东华理工大学 物理学 本科

三、工作经历

2024.04-至今    深圳国际量子研究院 工程师

2023.07-2024.04    聚光科技股份有限公司 工程师

四、代表性成果

1. Jiayu Huang, Haifeng Lin, Chunyu Guo, Jintao Wang, Junbo Yang, Peiguang Yan. Enhanced cascaded up-conversion from periodically poled lithium niobate in a double-pass configuration [J]. Infrared Physics & Technology, 2022, 124.

2. Haifeng Lin, Jiayu Huang, Chunyu Guo, Jintao Wang, Junbo Yang, Peiguang Yan. Generation of high-power multiple-octave supercontinuum from fan-out periodically poled lithium niobate [J]. Journal of Luminescence, 2022, 252.

3. 黄佳裕, 林海枫, 闫培光. 高效率宽调谐扇形MgO:PPLN中红外光参量振荡器 [J]. 红外与激光工程, 2023, 52(05):114-119.